Samsung SSD 850 EVO 500 GB

Description

Caractéristiques principales :

• Disque SSD technologie 3D V-NAND
• Capacité : 500 GB
• Interface : Serial-ATA 6Gb/s (Compatible Serial-ATA 3Gb/s et 1.5 Gb/s)
• Facteur de forme : 2.5″ 6.8 mm
• Vitesse en lecture :  540 Mo/s (Serial-ATA 6Gb/s)
• Vitesse en écriture : 520 Mo/s (Serial-ATA 6Gb/s) 

Technologie TurboWrite pour des vitesses sans précédent

Grâce à la technologie TurboWrite de Samsung, vous obtenez des performances optimales en matière de lecture et d’écriture et par conséquent, vous maximisez votre utilisation informatique au quotidien. En plus d’une expérience utilisateur 10 % supérieure à celle du 840 EVO, vous obtenez également des vitesses d’écriture aléatoires jusqu’à 1,9 fois plus rapides.
Ceci est aussi valable pour les modèles 120/250 Go. Le 850 EVO offre les meilleures performances en ce qui concerne les vitesses de lecture (540 Mo/s) et d’écriture (520 Mo/s) séquentielles. De plus, vous obtenez des performances aléatoires optimisées pour toutes les profondeurs de file d’attente en cas d’utilisation d’un PC client.

V-NAND 3D : Endurance et fiabilité

Avec deux fois plus de TBW comparé à la génération précédente du 840 EVO, le 850 EVO offre une endurance et une fiabilité , la plus élevée dans ce secteur. Le 850 EVO augmente ses performances continues jusqu’à 30 % de plus que celles du 840 EVO grâce à une dégradation des performances réduite au minimum. Cela en fait l’un des appareils de stockage les plus fiables.
Le 850 EVO augmente considérablement la durée de vie de la batterie de votre ordinateur portable grâce à un contrôleur optimisé pour la V-NAND 3D. Ce contrôleur active à présent la fonction Device Sleep pour une très faible consommation de 2 mW. Grâce au fait que la V-NAND 3D consomme deux fois moins d’énergie que la Planar NAND 2D, le 850 EVO consomme désormais 25 % d’énergie en moins que le 840 EVO durant les opérations d’écriture.

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